在晶體管的關態(tài)電流測量、高阻材料電阻率測量、納米器件的電學特性、掃描探針顯微鏡等實驗中，當器件尺寸縮小到納米級別或材料非常薄時，漏電流和待測電流本身就極其微小。在這個級別，實驗者需要與各種噪聲和干擾作斗爭，包括熱噪聲、振動噪聲，甚至空氣中分子電離產生的電荷。

如此微小電流的實驗需要電流小于100飛安（fA，即 10^ 安培），要進行100fA以下的電流測量，常規(guī)的萬用表是沒有用的。必須使用專門的設備和技術。

1、靜電計/源測量單元：這是核心設備。高精度的靜電計或SMU可以測量低至0.1fA甚至更低的電流。它們采用特殊的“虛地"技術和超高反饋電阻（例如 > 10^ Ω）。

2、三同軸電纜：使用雙層屏蔽的三同軸電纜連接被測器件和靜電計。外層屏蔽接地，內層屏蔽被驅動至與中心導體相同的電位（保護技術），以最1大限度地減少電纜的泄漏電流和寄生電容。

3、屏蔽與接地：整個測試系統（包括探針臺）必須置于一個良好的法拉第籠（金屬屏蔽箱）中，以屏蔽外部電磁干擾。

4、環(huán)境控制：控制濕度非常重要，因為潮濕空氣會在絕緣表面形成導電通路，引入巨大的泄漏電流。通常在干燥的氮氣環(huán)境或真空中進行測量。

5、振動隔離：機械振動會導致電纜和連接器的微小位移，產生摩擦電噪聲，這在高阻抗測量中是顯著的噪聲源。

為解決電流殿宇100fA的問題，可以采用真空探針臺KT-Z1604T，該探針臺的承載臺為60x60不銹鋼臺面，臺面最1高可升溫到最1高350℃。真空腔體設計有進氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動，三個方向均可在真空環(huán)境下精密移位調節(jié)，其中X方向調節(jié)范圍：0－30mm；y方向調節(jié)范圍：0－20mm；z方向調節(jié)范圍：0－20mm；用戶可根據需要自行調節(jié)。使用時將需檢測的器件固定在加熱臺上，再微調探針支架X/Y/Z 方向行程，通過顯微鏡觀察，使探針對準檢測點后，即可進行檢測。